Micron élimine la mémoire flash NAND 3D 128 couches



Micron Technology has taped out its 4th generation 3D NAND flash memory with 128 layers. This paves the way for mass production and product implementations in 2020. The 4th gen 3D NAND by Micron continues to use a CMOS-under-array design, but with Replacement Gate (RG) Technology instead of Floating Gate, which Micron and the erstwhile IMFlash Technology had been using for years. Micron is currently mass-producing 96-layer 3D NAND flash, and TLC remains the prominent data-storage physical layer despite the advent of QLC (4 bits per cell).

Micron fait remarquer que cette NAND 3D 128 couches de 4e génération sera un espace limité à quelques applications sélectionnées, et pourrait ne pas voir le type d'adoption comme ses puces actuelles à 96 couches. La société semble être plus concentrée sur son évolution, peut-être la NAND 3D de 5e génération, qui devrait apporter des gains de coût par bit tangibles pour la société, lors de sa transition vers un nœud de fabrication de silicium plus récent, et implémentant des technologies encore plus récentes en plus RG. «Nous avons réalisé nos premières matrices de rendement en utilisant une porte de remplacement ou« RG »pour faire court. Cette étape importante réduit encore le risque pour notre transition RG. Pour rappel, notre premier nœud RG sera de 128 couches et sera utilisé pour un ensemble sélectionné de produits. Nous ne nous attendons pas à ce que RG fournisse des réductions de coûts significatives avant FY2021, lorsque notre nœud RG de deuxième génération sera largement déployé. Par conséquent, nous nous attendons à des réductions de coûts minimes en NAND au cours de l'exercice 2020. Notre approche de déploiement de la production de RG optimisera le retour sur investissement de nos investissements en capital NAND », a déclaré Sanjay Mehrotra, PDG et président de Micron.


Source: AnandTech