Samsung annonce une feuille de route complète des processus jusqu'à 4 nm



Samsung stands as a technology giant in the industry, with tendrils stretching out towards almost every conceivable area of consumer, prosumer, and professional markets. It is also one of the companies which can actually bring up the fight to Intel when it comes to semiconductor manufacturing, with some analysts predicting the South Korean will dethrone Intel as the top chipmaker in Q2 of this year. Samsung scales from hyper-scale data centers to the internet-of-things, and is set to lead the industry with 8nm, 7nm, 6nm, 5nm, 4nm and 18nm FD-SOI in its newest process technology roadmap. The new Samsung roadmap shows how committed the company is (and the industry with it) towards enabling the highest performance possible from the depleting potential of the silicon medium. The 4 nm 'post FinFET' structure process is set to be in risk production by 2020.

Cette annonce marque également la réitération de Samsung sur l'utilisation de la technologie EUV (Extreme Ultra Violet) pour la fabrication de plaquettes, une technologie qui a longtemps été saluée comme le sauveur de processus plus denses, mais qui a finalement été écartée de l'adoption du marché en raison de sa complexité. Kelvin Low, directeur principal du marketing de fonderie chez Samsung, a déclaré que le `` nombre magique '' pour la productivité (comme dans le cas d'un rapport investissement / rendement durable) avec EUV est de 1500 plaquettes par jour. Samsung a déjà dépassé 1 000 plaquettes par jour et est convaincu que 1 500 plaquettes par jour sont réalisables.

Les dernières technologies et solutions de processus de fonderie de Samsung présentées lors du forum annuel de la fonderie Samsung comprennent:

8LPP (8nm Low Power Plus)
8LPP offre l'avantage de mise à l'échelle le plus compétitif avant de passer à la lithographie EUV (Extreme Ultra Violet). Combinant les principales innovations de processus de la technologie 10 nm de Samsung, le 8LPP offre des avantages supplémentaires dans les domaines des performances et de la densité de la porte par rapport au 10LPP.

7LPP (7nm Low Power Plus)
7LPP sera la première technologie de procédé semi-conducteur à utiliser une solution de lithographie EUV. 250 W d'EUV maximum
La source d'énergie, qui est le jalon le plus important pour l'insertion des EUV dans la production à haut volume, a été développée par les efforts de collaboration de Samsung et ASML. Le déploiement de la lithographie EUV brisera les barrières de la mise à l'échelle de la loi de Moore, ouvrant la voie à des générations de technologie de semi-conducteur à un nanomètre.

6LPP (6nm Low Power Plus)
Le 6LPP adoptera les solutions uniques de Smart Scaling de Samsung, qui seront incorporées en plus de la technologie 7LPP basée sur l'EUV, permettant une plus grande évolutivité de la zone et des avantages d'énergie ultra-faible.

5LPP (5nm Low Power Plus)
5LPP étend la limite d'échelle physique de la structure FinFET en mettant en œuvre des innovations technologiques de la prochaine génération de processus, 4LPP, pour une meilleure mise à l'échelle et une réduction de puissance.

4LPP (4nm Low Power Plus)
4LPP sera la première implémentation d'une architecture de périphérique de nouvelle génération - structure MBCFETTM (FET à canaux multiples). MBCFETTM est la technologie GAAFET (Gate All Around FET) unique de Samsung qui utilise un dispositif Nanosheet pour surmonter les limites d'échelle physique et de performances de l'architecture FinFET.

FD-SOI (entièrement épuisé - Silicium sur isolant)
Well suited for IoT applications, Samsung will gradually expand its 28FDS technology into a broader platform offering by incorporating RF (Radio Frequency) and eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory) options. 18FDS is the next generation node on Samsung's FD-SOI roadmap with enhanced PPA (Power/Performance/Area). Sources: Samsung Newsroom, eeTimes