samsung electronics présente la nouvelle mémoire flashbolt hbm2e à large bande passante

Samsung Electronics présente la nouvelle mémoire Flashbolt HBM2E à large bande passante

Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced semiconductor technology, today announced its new High Bandwidth Memory (HBM2E) product at NVIDIA's GPU Technology Conference (GTC) to deliver the highest DRAM performance levels for use in next-generation supercomputers, graphics systems, and artificial intelligence (AI).

La nouvelle solution, Flashbolt, est la première HBM2E du secteur à offrir une vitesse de transfert de données de 3,2 gigabits par seconde (Gbps) par broche, ce qui est 33% plus rapide que la HBM2 de la génération précédente. Flashbolt a une densité de 16 Go par puce, soit le double de la capacité de la génération précédente. Grâce à ces améliorations, un seul package Samsung HBM2E offrira une bande passante de données de 410 gigaoctets par seconde (Go / s) et 16 Go de mémoire.

'Flashbolt's industry-leading performance will enable enhanced solutions for next-generation data centers, artificial intelligence, machine learning, and graphics applications,' said Jinman Han, senior vice president of Memory Product Planning and Application Engineering Team at Samsung Electronics. 'We will continue to expand our premium DRAM offering, and improve our 'high-performance, high capacity, and low power' memory segment to meet market demand.'