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SK Hynix annonce ses produits de mémoire HBM2E, 460 Go / s et 16 Go par pile



SK Hynix Inc. announced today that it has developed HBM2E DRAM product with the industry's highest bandwidth. The new HBM2E boasts approximately 50% higher bandwidth and 100% additional capacity compared to the previous HBM2. SK Hynix's HBM2E supports over 460 GB (Gigabyte) per second bandwidth based on the 3.6 Gbps (gigabits-per-second) speed performance per pin with 1,024 data I/Os (Inputs/Outputs). Through utilization of the TSV (Through Silicon Via) technology, a maximum of eight 16-gigabit chips are vertically stacked, forming a single, dense package of 16 GB data capacity.

Le HBM2E de SK Hynix est une solution de mémoire optimale pour la quatrième ère industrielle, prenant en charge les GPU haut de gamme, les superordinateurs, l'apprentissage automatique et les systèmes d'intelligence artificielle qui nécessitent le niveau maximal de performances de la mémoire. Contrairement aux produits DRAM de base qui prennent des formes de module et montés sur des cartes système, la puce HBM est étroitement connectée aux processeurs tels que les GPU et les puces logiques, distants de seulement quelques unités µm, ce qui permet un transfert de données encore plus rapide. 'SK Hynix has established its technological leadership since its world's first HBM release in 2013,' said Jun-Hyun Chun, Head of HBM Business Strategy. 'SK Hynix will begin mass production in 2020, when the HBM2E market is expected to open up, and continue to strengthen its leadership in the premium DRAM market.'