sk hynix développe 1znm 16gb ddr4 dram - Sk

SK hynix développe une DRAM DDR4 1Znm 16 Go



SK hynix Inc. announced today that it has developed 1Znm 16Gb (Gigabits) DDR4 (Double Data Rate 4) DRAM. As 16Gb is the industry's largest density for a single chip, the total memory capacity per wafer is also the largest of the existing DRAMs. The productivity of this product has improved by about 27% compared to the previous generation, 1Y nm. It does not require highly expensive extreme ultraviolet (EUV) lithography, which gives it a competitive edge cost-wise.

La nouvelle DRAM 1Z nm prend également en charge un taux de transfert de données allant jusqu'à 3 200 Mbps, ce qui est la vitesse de traitement des données la plus rapide dans l'interface DDR4. La Société a considérablement augmenté son efficacité énergétique, réduisant avec succès la consommation d'énergie d'environ 40% par rapport aux modules de même densité fabriqués avec 1Y nm 8 Gb DRAM.

En particulier, SK hynix a appliqué une nouvelle substance non utilisée dans le processus de fabrication de la génération précédente, maximisant la capacité de ce produit 1Znm. La capacité, la quantité de charge électrique qu'un condensateur peut stocker, est un élément clé du fonctionnement de la DRAM. Une nouvelle conception a également été introduite pour augmenter la stabilité opérationnelle.

`` La DRAM DDR4 1Znm possède la densité, la vitesse et l'efficacité énergétique les plus élevées de l'industrie, ce qui en fait le meilleur produit pour répondre aux demandes changeantes des clients à la recherche de DRAM haute performance / haute densité '', a déclaré Lee Jung-hoon, chef de 1Z TF de Développement DRAM & Business. «SK hynix commencera la production de masse et la livraison à grande échelle l'année prochaine pour répondre activement à la demande du marché.»

SK hynix plans to expand the 1Znm technology process to a variety of applications, such as LPDDR5, the next generation mobile DRAM, and HBM3, the fastest DRAM to be.